金十数据1月9日讯，三星将加速3D NAND堆叠进程，正在讨论将预计2025—2026年量产的第十代V—NAND的堆叠层数跳至430层级。此外，业内人士透露，三星已经为第九代、第十代等V—NAND单元的数量制定了大致的路线图，正在从多个角度开发产品。（TheElec）